圧電装置一般

半導体装置，他に属さない電気的固体装置（測定のための半導体装置の使用Ｇ０１ < 基本的電気素子 < 電気

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シリコン基板上に酸化ジルコニウム(zro2)膜を直接形成する場合、形成されたzro2膜の結晶性が低くなり、zro2膜を良好にエピタキシャル成長できない場合がある。このような場合、zro2膜上に導電膜を良好にエピタキシャル成長させることができず、導電膜上に圧電膜を良好にエピタキシャル成長させることができない。pztを含む圧電膜では、例えば分極方向に平行な方向、又は、分極方向と一定の方向に沿った電界が印加される場合に、圧電定数が大きい。そのため、圧電定数が大きい。

基板と、基板上に形成された導電膜と、導電膜上に形成された圧電膜と、を有する膜構造体として、基板と、基板上に形成された白金を含む導電膜と、導電膜上に形成されたチタン酸ジルコン酸鉛(pzt)、即ちpb(zr1-xtix)o3(0<x<1)を含む圧電膜と、を有する膜構造体が知られている。このような膜構造体を加工して圧電素子が形成される。この膜構造体が有する基板として、シリコン基板を用いることができる。