半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に適用される方法または装置（グループ３１／００～４９／００に分類されている装置またはその部品に製造または処理に特有な方法または装置はこれらのグループを参照

半導体装置，他に属さない電気的固体装置（測定のための半導体装置の使用Ｇ０１ < 基本的電気素子 < 電気

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フラッシュランプアニール装置に限らず、熱処理装置では加熱対象となる半導体ウェハーの温度を測定することが重要となる。典型的には、放射温度計を用いて非接触にて半導体ウェハーの温度を測定する。

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するフラッシュランプアニール(fla)が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ(以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する)を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間(数ミリ秒以下)に昇温させる熱処理技術である。