整流，増幅，発振またはスイッチングに適用される半導体装置，または少なくとも１つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサーまたは抵抗器

半導体装置，他に属さない電気的固体装置（測定のための半導体装置の使用Ｇ０１ < 基本的電気素子 < 電気

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ゲート絶縁層の特性を維持しながら、埋め込みゲート電極の幅を増大させることができる。また、該埋め込みゲート電極は、幅を増大させる突出部を有するので、埋め込みゲート電極の幅を増大させることができる。

電子産業の飛躍的な発展、及びユーザの要求により、電子機器は、さらに一層小型化及び軽量化されている。従って、電子機器に使用される高集積度を有する半導体素子が要求され、半導体素子の構成に係わるデザインルールが縮小されている。高度にスケーリング(scaling)された半導体素子を製造するために、ゲート電極を半導体基板内に埋め込む埋め込みゲート電極が導入されている。