整流，増幅，発振またはスイッチングに適用される半導体装置，または少なくとも１つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサーまたは抵抗器

半導体装置，他に属さない電気的固体装置（測定のための半導体装置の使用Ｇ０１ < 基本的電気素子 < 電気

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逆方向電圧が低くかつ逆方向耐圧を高くすることができるものの、ピーク順方向電流(peak forward surge current)を十分に高くすることが出来ないという課題がある。

窒化物半導体装置に関する。n型gan層上に、p型ganで構成されたガードリングが形成されたショットキーバリアダイオード(schottky barrier diode:sbd)が開示されている。特に、特許文献1の図11に開示された構成によれば、n-gan層の表面に空乏領域が形成されるため表面の電荷密度を低減でき、結果としてショットキーバリアダイオードの耐圧性能が向上するとしている。