被覆形成材料の真空蒸着，スパッタリングまたはイオン注入法による被覆［４］

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従来技術では、成膜を開始する前にスパッタリングターゲットの表面を清浄するために、プリスパッタを行っている。プリスパッタでガラス基板に膜が付き過ぎると、ガラス基板が割れる場合がある。このため、ガラス基板を交換しながらプリスパッタを行う。

発生したダストが基板に付着すると、形成する薄膜の欠陥や配線の断線等の不良の原因となり、特に、パターニングが微細化した近年の半導体装置では従来は無視できる程度の大きさであった微少なダストでも不良の原因となる。