光学的手段の使用により，すなわちサブミリ波，赤外線，可視光線または紫外線を用いて，材料を調査または分析するもの（Ｇ０１Ｎ３／００～Ｇ０１Ｎ１９／００が優先）［２００６．０１］

材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析（参照，免疫分析以外の酵素または微生物を含む測定または試験Ｃ１２Ｍ，Ｃ１２Ｑ） < 測定 < 物理学

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ジョブにおける先頭のウェハの撮像画像を基準画像として欠陥検査を行う場合、上記先頭のウェハの欠陥を検出することができない。また、上記先頭のウェハに欠陥が存在する場合に、以降のウェハの欠陥検査を適切に行うことができない。

半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、ウェハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、レジストパターンにおける欠陥の有無が検査される。ウェハの欠陥の検査では、レジスト塗布処理により形成されたレジスト膜の欠陥の有無や、ウェハへの傷や異物の付着の有無、形成されたレジストパターンにおける欠陥の有無が検査される。