整流，増幅，発振またはスイッチングに適用される半導体装置，または少なくとも１つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合空乏層またはキャリア集中層，を有するコンデンサーまたは抵抗器

半導体装置，他に属さない電気的固体装置（測定のための半導体装置の使用Ｇ０１ < 基本的電気素子 < 電気

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gan電力電子デバイスには深刻な電流コラプス現象が存在している。その影響でデバイスの消費電力が上がり、動作効率が降下してしまう。

ganなどの窒化物半導体材料には、飽和電子移動速度が速く、絶縁破壊強度とバンドギャップが大きい、などの特徴がある。そのため、ganに基づいた高電子移動度トランジスタ(high electron mobility transistor,hemt)デバイスは大勢の研究者や半導体メーカーに注目されている。ganのhemtデバイスはこれからの20年間に、高速、高効率、高周波を求める通信分野及び電力電子分野において広く応用される見込みである。