消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ（Ｇ１１Ｃ１４／００が優先）［５］

静的記憶（記憶用の半導体装置Ｈ０１Ｌ，例．Ｈ０１Ｌ２７／１０８～Ｈ０１Ｌ２７／１１５９７） < 情報記憶 < 物理学

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連続読出しの高速化のために高速周波数の外部クロック信号exclkが用いられれば、連続読出しの高速化のために高速周波数の外部クロック信号exclkが用いられれば、連続読出し時間は短縮される。

半導体装置に関し、特にnand型フラッシュメモリの連続読出しに関する。nand型のフラッシュメモリには、外部からのコマンドに応答して複数のページを連続で読み出す連続読出し機能(バースト読出し機能)が搭載されているものがある。ページバッファ/センス回路は、例えば2つのラッチを含み、連続読出し動作が行われるとき、一方のラッチにアレイから読み出されたデータを保持する間に、他方のラッチに保持されたデータの出力を可能にしている。