特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置

静的記憶（記憶用の半導体装置Ｈ０１Ｌ，例．Ｈ０１Ｌ２７／１０８～Ｈ０１Ｌ２７／１１５９７） < 情報記憶 < 物理学

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ワード線ドライバ列に近くセンスアンプ列に近い領域r内のメモリセルmcがアクセスされる場合のワード線及びビット線の活性化タイミングの一例を示す。

dram(dynamic random access memory)等の半導体記憶装置では、行列状に配列された複数のメモリセルを有するメモリセルアレイを備えたものが知られている。かかる半導体記憶装置は、例えば図1(a)に示すように、x方向に間隔をおいて設けられた複数のセンスアンプ列と、y方向に間隔をおいて設けられた複数のワード線ドライバ列と、をメモリセルアレイ内に備えている。